歡迎訪問東莞市超翔電子有限公司
三星發(fā)布新晶體管:1nm之后的選擇?
瀏覽次數(shù):835
|
發(fā)布日期:2021-12-18
三星發(fā)布新晶體管:1nm之后的選擇?
 
IBM和三星聲稱他們在半導體設計方面取得了突破。
 
在舊金山 IEDM 會議的第一天,兩家公司宣布了一種在芯片上垂直堆疊晶體管的新設計。 對于當前的處理器和 SoC,晶體管平放在硅表面上,電流從一側(cè)流向另一側(cè)。 相比之下,垂直傳輸場效應晶體管 (VTFET) 彼此垂直,電流垂直流動。
 
據(jù) IBM 和三星稱,這種設計有兩個優(yōu)點。 首先,它將允許他們繞過許多性能限制并將摩爾定律擴展到 1 納米閾值之外。 更重要的是,由于電流較大,該設計減少了能源浪費。 他們估計 VTFET 將使處理器比采用 FinFET 晶體管設計的芯片快兩倍,并將功耗降低 85%。
 
IBM 和三星聲稱,這一過程可能有一天會讓手機一次充電使用整整一周。 他們表示,它還可以使某些能源密集型任務(包括加密采礦)更加節(jié)能,因此對環(huán)境的影響較小。
 

IBM 和三星尚未透露他們何時計劃將該設計商業(yè)化。 他們并不是唯一一家試圖突破 1 納米屏障的公司。 英特爾在 7 月份表示,其目標是到 2024 年完成 Angstrom 芯片的設計。該公司計劃使用其新的“英特爾 20A”節(jié)點和 RibbonFET 晶體管來完成這一壯舉。


三星計劃2025年量產(chǎn)2nm

 
在先進的半導體技術方面,臺積電目前是無可爭議的領先者。 Q3占據(jù)了整整53%的代工份額。 三星排名第二,但份額僅為臺積電的1/3。 所以三星押注下一代。 工藝,包括3nm和未來的2nm工藝。 按照三星的計劃,3nm工藝將放棄FinFET晶體管技術,轉(zhuǎn)向柵極周圍的GAA。 3nm工藝分為兩個版本,其中3GAE(低功耗版)將于2022年初量產(chǎn),3GAP(高性能版)將于2023年初量產(chǎn)。
 
與5nm相比,三星新推出的3nm GAA可以縮小35%的面積,同等功耗下性能提升30%,同等性能下功耗降低50%。
 
下一步是2nm工藝。 三星高層再次表示2nm工藝將于2025年量產(chǎn)。
 
但具體工藝指標尚未公布。 我只知道是GAA晶體管,基于MBCFET(Multi-Bridge Channel FET)技術,如3nm。 這是一種可以垂直堆疊的納米芯片晶體管,兼容當前的CMOS工藝以共享設備。 與制造方法相比,降低了新技術的升級成本。
 
三星的2nm工藝是一大進步,有很多創(chuàng)新亮點,與現(xiàn)有的2nm工藝不同——IBM此前在全球發(fā)布了一款2nm芯片,可以在指甲蓋大小內(nèi)集成500億個晶體管,這是一個 與 7nm 工藝相比有所改進。 性能提升 45% 或功耗降低 75%,預計 2024 年量產(chǎn)。
 
三星也參與了IBM的2nm工藝,但其量產(chǎn)的2nm工藝與IBM的2nm工藝不一樣。 后者需要新的生產(chǎn)方式,三星也將依賴自家的2nm工藝。


主站蜘蛛池模板: 拔插华人永久免费入口| 国产三级在线观看视频| 黑人vs亚洲美女在线观看| 国产精品爽爽久久久久久无码 | 老外和中国女人毛片免费视频| 国产亚洲精品久久久久久| 国产AV一区二区三区人妻| 中文亚洲乱码| 日本系列变态另类一区二区三区| 伦理片午夜在线视频| 国产人妻人伦精品免费看果冻传媒 | 国产精品色吧国产精品| 91视频天堂| 小说色3344| 久久综合国产一区二区三区无| 国产欧美日韩一区| 99久久久国产精品尤物免费 | 波多洁野衣一| 无码免费一区二区三区免费播放| 欧美国产日韩第三页| 国产无码精品在线观看| av无码久久| 亚洲av无码片在线观看| 久久综合精品国产一区二区三| 国产精品夜色一区二区三区| 91精品国产高清久久久久久99 | 一区二区三区 日韩| 日韩一区二区无码四区| 精品偷自拍| 国产成人综合亚洲网站 | 国产亚洲人成无码网在线观看 | 在线91精品亚洲网站精品成人| 色综合久久天天干 长长久久精品国产| 毛片不卡一区二区三区| 国产亚洲精品久久AV| 99亚洲国产精品一区二区| 色婷综合| 精品久久久久中文字幕人妻色诱 | 国产高清一区二区在线| 911国产亚洲精品青衣| 熟女熟妇多毛毛|